(Lead) Principal SiC-Prozessintegrationsspezialist (m/w/d)

Arbeitsort: 80331, Munich

Was Sie erwartet:

Prozessentwicklung & -transfer: Leitung der Prozessentwicklung und des Transfers zur Einführung und Skalierung neuer SiC-Leistungstechnologien.
Prozessqualifizierung: Entwicklung und Qualifizierung neuer und abgeleiteter Prozesse für SiC-Leistungsbauelemente.
Prozessparameter: Identifikation und Überwachung wichtiger Prozessparameter sowie Korrelierung von Geräte- und Prozessmerkmalen für SiC-MOSFETs und Dioden.
Projektleitung & Teamführung: Leitung von Projekten und interdisziplinären Teams zur Optimierung der Prozessintegration, Bewertung und Definition der besten Methoden (BKM), Festlegung der Prozessspezifikationen zur Erfüllung der Geräteanforderungen.
Datenanalyse: Nutzung umfangreicher Datenanalysen aus Parametertests von Wafern, Prozesskontrollstrukturen und Inline-Prozesskontrollen zur Korrelierung von Prozess- und Gerätekennwerten in Zusammenarbeit mit dem Designteam.
Fehlerbehebung & kontinuierliche Verbesserung: Identifikation von Ursachen und Definition nachhaltiger Korrekturmaßnahmen bei Prozessabweichungen oder Zuverlässigkeitsproblemen, sowie Durchführung kontinuierlicher Verbesserungsprojekte zur Steigerung der Stabilität, Ausbeute, Zuverlässigkeit und Produktionskosten bestehender Technologien.
Technologieeinführung: Untersuchung und Einführung neuer SiC-Prozesse, Prozessmodule und Technologie-Roadmaps zur Unterstützung neuer Geräteherstellungsplattformen, Bewertung von SiC-Fertigungsausrüstungen, Materialien, Experimenten und Methoden.
Schnittstellenmanagement: Funktion als Schnittstelle für alle prozessbezogenen Themen zwischen Produktion, Qualitätsabteilung, Technologie-/Produktentwicklung und Backend.
Forschung & Kooperation: Zusammenarbeit mit internen und externen Forschungseinrichtungen zur Einführung und Optimierung neuer SiC-Prozesse.

Was Sie mitbringen:

Akademische Qualifikation: Erfolgreich abgeschlossenes Master- oder Promotionsstudium in Elektrotechnik, Physik, Chemie, Halbleitertechnik, Mikrosystemtechnik oder einem ähnlichen Fachgebiet.
Berufserfahrung: Über 10 Jahre Erfahrung in der SiC-Prozessierung, vorzugsweise in der SiC-Wafer-Fertigung.
Fachkenntnisse: Tiefgehendes Wissen in der Halbleitergerätephysik und Prozessintegration; insbesondere umfassende Kenntnisse von SiC-Leistungsbauelementen, insbesondere MOSFETs und Dioden.
Technische Problemlösung: Technische Problemlösungsansätze sowie Anwendung von Methoden und Werkzeugen zur Bewertung und Datenverarbeitung.
Experimentelle Fähigkeiten: Fähigkeit, Prozessversuche sorgfältig zu entwerfen, durchzuführen und zu analysieren; nachgewiesene Erfahrung in der Leitung erfolgreicher Projekte.
Kommunikationsfähigkeiten: Ausgezeichnete Kommunikations- und Präsentationsfähigkeiten in Englisch. Deutsch und/oder Chinesisch sind von Vorteil.
Arbeitsweise: Strategisches Denken, gut organisiert und selbstständige Arbeitsweise.
Teamarbeit: Effektiver Teamplayer mit starken Führungskompetenzen in einem multikulturellen Umfeld.
Motivation: Can-do-Mentalität und Bereitschaft, die Komfortzone zu verlassen, um zusätzliche Anstrengungen zu leisten.
Reisebereitschaft: Offen für internationale Geschäftsreisen oder Delegationen.

Wenn Sie diese spannende Herausforderung annehmen möchten und über die erforderlichen Qualifikationen verfügen, freuen wir uns auf Ihre Bewerbung.

Wir freuen uns darauf, Sie kennenzulernen!

Kurz zu uns: b.professional ist eine Tochtergesellschaft der Bertrandt AG und als Personalberatung auf die Besetzung von technischen Fach- und Führungspositionen spezialisiert. Dabei handelt es sich ausschließlich um die direkte Vermittlung in unbefristete Positionen bei unseren Klienten.